10kV SST

10kV 固态变压器(SST) 面向新一代 AI 数据中心与高密度算力基础设施设计。方案从 10kV 中压接入 出发,为 800V 直流平台构建高效、智能的前端供电架构,并可与下游 BBU、DC-DC、PDU 等模块协同工作,支持从市电接入到机架级配电的端到端电力部署。

Applications

AI计算

高性能计算

服务器

网络设备

Key Advantages

01
支持 10kV 中压电网接入 有助于简化传统多级电力转换链路,为 AI 数据中心构建更短路径、更高效率的前端供电架构。
02
作为 800V 直流供电架构的前端能源平台 可与下游 BBU、DC-DC、PDU 等模块实现统一集成,为下一代 AI 机架级供电系统提供支撑。
03
相比传统变压器与配电方案,SST 基于固态电力电子架构,可实现更快的动态响应和更精准的能量控制,尤其适用于负载变化快速的 AI 应用场景。
04
延续现有产品家族的高密度发展方向,10kV SST 可作为高度集成的电力变换节点,有助于降低前端供电系统占用空间,并进一步延展下游高密度电力平台的空间效率优势。
05
面向不同规模 AI 数据中心的模块化部署需求而设计,可与 PSU、BBU、PDU 及 DC-DC 模块协同工作,支持容量扩展、分级配电与备电系统集成。
06
在官网定位上,SST 可被呈现为具备先进监测、通信与能源管理能力的核心电力节点,并与现有产品家族在 PMBus、MODBUS/CAN 及可选 PMC 监控模块 等方面的能力保持一致。

Specifications

参数SST-3300(3.3MW)SST-5000(5MW)SST-10000(10MW)
额定功率3.3MW
5.0MW10.0MW
中压交流输入(MVAC)10kV / 35kV (±10%)10kV / 35kV (±10%)35kV (±10%)
输出端口选项(可定制)800V DC800V DC

800V DC

核心半导体器件1.7kV 高压 SiC MOSFET1.7kV 高压 SiC MOSFET1.7kV 高压 SiC MOSFET
拓扑结构级联 H 桥(CHB)整流 + 双有源桥(DAB)隔离型 DC-DC 变换
级联 H 桥(CHB)整流 + 双有源桥(DAB)隔离型 DC-DC 变换级联 H 桥(CHB)整流 + 双有源桥(DAB)隔离型 DC-DC 变换
典型开关频率40 kHz - 50 kHz40 kHz - 50 kHz40 kHz - 50 kHz
系统最高效率≥ 98.2%≥ 98.5%≥ 98.5%
功率因数(电网侧)> 0.99(支持 -1.0 至 +1.0 连续调节)> 0.99(支持 -1.0 至 +1.0 连续调节)> 0.99(支持 -1.0 至 +1.0 连续调节)
电流总谐波失真(THDi)< 3%
< 3%< 3%
冷却方式闭式水冷(去离子水)闭式水冷 / 水-风热交换闭式液冷(集成高效冷水机组)
防护等级IP54 / NEMA 3R(户外型)IP54(户外 / 集装箱式)IP54(预制舱式)
通信与智能接口Modbus TCP, IEC 61850Modbus TCP, IEC 61850Modbus TCP, IEC 61850